HBM3E 공급 확대…내년 6세대 HBM4 출하 목표!

HBM3E 및 HBM4 개발 현황

삼성전자가 3분기에 본격적으로 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E를 공급할 예정이라고 밝혔습니다. 이미 복수의 고객사들과 세부 스펙에 대한 협의를 진행 중입니다. 내년에는 6세대 HBM4 제품의 출하를 목표로 개발 중이며, HBM3E 퀄 테스트는 비밀유지계약을 이유로 언급할 수 없다는 입장을 전달했습니다. 지난해 연결 기준으로 삼성전자는 잠정 영업이익이 6조5천400억, 매출액은 258조1천600억으로 집계되었습니다. 영업이익은 전년 동기 대비 84.92% 감소했으며, 매출은 4.91% 감소했습니다.

반도체 부문 실적

삼성전자는 연결 기준으로 2분기 영업이익이 10조4439억원을 기록했다고 밝혔습니다. 반도체(DS)부문에서 6조4500억원의 수익을 올렸습니다. 매출은 28조5600억원으로 TSMC를 제치고 세계 최대 파운드리 업체로 자리매김했습니다. 삼성전자는 실적발표에서 HBM 반도체와 파운드리 선단 공정 로드맵이 정상적으로 진행되고 있다고 언급했습니다.

HBM 제품 비중 및 예상 성장

삼성전자는 HBM의 매출 비중이 증가할 것으로 예상했습니다. 특히, HBM3E의 매출 비중은 3분기 10% 중반을 넘어설 것으로 보이며, 4분기에는 60% 수준으로 확대될 것입니다. HBM 매출은 매분기 2배 이상의 성장세를 기록할 것으로 보이며, 하반기에는 상반기 대비 3~5배가량 증가할 것으로 예상하고 있습니다. 이러한 성장은 고객사들의 요청 물량 증가와 밀접한 관련이 있습니다. 고객 수주가 잘 진행되고 있다는 점에서 실적에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 보입니다.

고객 협의 및 공급 계획

김재준 삼성전자 DS부문 메모리사업부 전략마케팅실장은 HBM 생산능력을 늘려가고 있다고 밝혔습니다. 올해 고객 협의를 완료한 물량은 전년 대비 4배 증가했습니다. 내년에는 올해 대비 2배 넘는 공급량을 계획하고 있으며 고객사와의 협의를 통해 추가 생산을 진행할 예정입니다. 이러한 성장은 HBM3E 제품의 수요 증가로 이어질 것으로 전망됩니다.

3나노 GAA 공정 및 파트너십

삼성전자는 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정에 대해 성숙 단계에 도달했다고 발표했습니다. 3나노 2세대 GAA는 올해 하반기 웨어러블 제품에서 본격 양산될 예정입니다. 2나노 GAA는 2025년 첫 양산이 예정되어 있으며, 2026년에는 2세대 공정이 양산될 예정입니다. 삼성전자는 이러한 기술력을 바탕으로 경쟁력을 강화해 나가고 있습니다.

노조 파업과 경영 대응

한편, 삼성전자는 노동조합의 총파업 선언에도 불구하고 생산 및 경영에 큰 차질이 없도록 최선을 다하고 있다고 밝혔습니다. 노조와 소통을 통해 조기에 파업을 종료할 수 있도록 노력하고 있습니다. 회사는 이번 파업이 경영과 생산에 미치는 영향을 최소화할 것을 약속했습니다. 이러한 대응은 고객 신뢰를 유지하고, 안정적인 생산성을 보장하기 위한 필수 조치입니다.

지금까지 삼성전자의 최근 반도체 시장 동향과 제품 개발 현황에 대해 살펴보았습니다. 삼성전자는 지속적인 연구 및 개발을 통해 업계의 리더십을 유지하고 있으며, 미래 지향적인 기술 개발에 힘쓰고 있습니다. 향후 HBM 제품 및 반도체 기술의 발전에 주목할 필요가 있습니다.